磁控濺射原理

磁控濺射鍍膜技術在輝光放電中進行，膜層粒子來源于輝光放電中的氬離子對陰極靶材產生的陰極濺射作用。濺射下來的膜層原子沉積到工件上形成所需膜層。

柱狀磁控濺射靶的優點

1、比平面靶的靶材利用率高。在鍍膜過程中，無論是旋磁型還是旋靶管型，靶管表面各個部位連續經過永磁體前面產生的濺射區接受陰極濺射，靶材可以收到均勻的濺射刻蝕，靶材利用率高達80%-90%。

2、不容易產生“靶中毒”。鍍膜過程中靶管表面始終受到氬離子的濺射刻蝕，表面上不容易積存很厚的氧化膜等絕緣膜。

3、柱狀磁控濺射靶結構簡單，安裝方便。

4、靶管材料成分多樣。
目前，在產業化生產中采用旋靶管型柱狀磁控濺射靶進行鍍膜的比例在增加;而且不單是立式鍍膜機，卷繞鍍膜機中的孿生靶也在用柱狀磁控靶。近幾年逐漸用柱狀孿生靶替代平面孿生靶。

STARPOWER-柱狀磁控濺射靶

磁控濺射靶形狀有柱狀靶、平面靶、圓錐靶。目前我公司僅制造柱狀磁控靶。在柱狀濺射靶上付出了大量的精力做測試和研發，靶頭用料考究、堅固可靠、結構合理，靶芯磁場分布均勻、密封性佳、水冷卻效果好，靶材均勻濺射、利用率高。靶芯長度可達0.3-3米。適合大部分鍍膜機規格。如有特殊要求，可量身定制。